随着5G通信、AI算力的爆发，芯片功率密度上升。传统导热填料如氧化铝Al₂O₃的热导率仅30W/m·K，无法匹配芯片内部热量传导需求，导致局部温度超温，直接引发性能衰减甚至器件失效。在导热与绝缘方面，氮化铝具有天然优势，其热导率高达320W/m·K（约为Al₂O₃的10倍），且电阻率大于1014Ω·cm使得高纯度氮化铝呈现较好的绝缘特性，完美解决了“高导热”与“高绝缘”的矛盾，是新能源汽车、5G通信、人工智能等领域的中高导热垫片、凝胶、硅脂首选导热填料，也是高功率半导体的理想封装材料。

1.球形氮化铝制备工艺

高质量的氧化铝作为百图球形氮化铝最根本的原料，在经过配料、造粒、煅烧等一系列工序打造后，依靠对各工艺参数的灵活调节，最终能呈现出不同规格的成品，为市场提供多样化的选择。

2.TA-F系列产品特点

• 产品规格齐全

百图TA-F系列可以提供中位粒径从30微米到120微米范围内各种粒径规格的产品，基本涵盖了高导热配方中氮化铝粉体级配所需的各种粒径规格（小粒径粉体可从类单晶氮化铝和氮化铝微粉中选择）。

• 产品形貌均一、粒径分布集中

百图TA-F系列球形度高，颗粒表面光滑，并且采用独特的分级卡断工艺，实现了对小粒径粉体和大粒径粉体的卡断去除，因此颗粒粒径分布集中，能够给下游导热胶的客户进行配方调控时提供更大的自由度，同时赋予产品更优异的导热能力和更好的填充性能。

• 产品纯度较高

百图TA-F系列以高纯氧化铝为核心原料，经内部专属工艺加工制成。产业链全套的自主可控生产和严格的过程管控以及成品管控可以有效确保产品的高纯度以及批次稳定性，和友商相比，百图氮化铝具有较低的杂质含量。

• 优异的抗水解性

氮化铝的水解特性一直是氮化铝应用领域的一大顽疾。为此，百图研发团队进行了大量细致入微的研究工作，最终发现氮化铝粉体的抗水解性与氮化铝粉体氧含量（表面氧含量、晶界氧含量、晶格氧含量）、晶粒尺寸、杂质含量、结晶度、第二相分布状态等因素密切相关。

最终我们通过烧结工艺制度、烧结气氛调节、原料纯度控制、二次相分布调控、表面氧化钝化、表面有机包覆、表面无机包覆等技术实现对氮化铝不同抗水解性等级的调控，以满足不同应用领域对氮化铝抗水解性的独特要求。