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氮化铝

产品介绍:

    采用高活性铝源及碳源,通过碳热还原工艺合成氮化铝粉体。AlN的导热率是Al₂O₃的10倍,导热率可达到 80~320W/m·k 之间,并且不存在异向传热性质,是制备氮化铝陶瓷基板以及生产各类高导热产品的重要原料。AlN 用作电子导热材料的填料,可有效提高基体的导热性能,为高端电子产品的热扩散问题提供新的解决方案。

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产品特点:

1. 高烧结活性;

2. 高结晶度,形貌规整;

3. 粒度分布窄;

4. 低C和低O含量。

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关键应用:

1. 导热材料的填料;

2. 用作高导热 AlN 陶瓷基板的原料;

3. 高导热半导体、电子产品核心部件;

4. EMC、TIM 填料、FCCL 导热介电层填料;

5. 新一代大规模集成电路半导体模块电路及大功率器件的散热和包装材料;

6. 复合材料如塑料基板、蒸发舟等的添加剂,高温结构材料如坩埚等的填料。


TA-1 


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TA-F01


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技术参数:


技术指标

单位

TA系列产品编号

方法/设备

TA-1

TA-F01

粒度分布

D10

μm

0.65

0.75

激光粒度分析仪 / OMEC

D50

μm

1.07

1.27

D90

μm

1.76

2.01

比表面积

㎡/g

2.38

1.78

3H-2000A 比表面积分析仪

真密度

g/cm³

0.82

0.86

BT-303粉体振实密度仪

化学成分

O

%

0.86

0.92

氧氮分析仪

C

ppm

380

340

碳硫分析仪

Ca

ppm

40

60

单道扫描光电直读光谱仪(ICP-AES)

Si

ppm

30

60

单道扫描光电直读光谱仪(ICP-AES)

Fe

ppm

10

20

单道扫描光电直读光谱仪(ICP-AES)

Na

ppm

10

50

单道扫描光电直读光谱仪(ICP-AES)


* 注意:除特别说明,表中记录的参数均为参考值而非最高规格,如果您对此存在疑问,请联系销售代表。

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